篠原 正典 | NTT LSI研究所

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著作論文

• CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
• CBr_4を用いた炭素ドープInGaAs結晶の成長 : 半導体液相成長II
• MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
• MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
• GaAs,AlGaAs成長時の表面,界面のナノオーダ凹凸の制御
• 半導体超薄膜と量子井戸

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