MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状

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概要

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結晶表面テラス幅とステップ形状の制御を目的として、MOCVD法で成長したGaAsの表面ステップの形成過程を調べた。ステップは成長前のアルシン中熱処理時にキンク密度の最も多い[100]方向に形成され、そのテラス幅はAsの拡散距離で決まる。基板温度等の成長条件に依存するが、0.5μm以上の広いテラス幅のモノレイヤステップの形成が可能である。また、これらのTMG、TEG、TMAによる差は見られず、この結果は平坦なGaAs, AlAsヘテロ界面形成が可能であることを示す。微傾斜基板上に成長した場合、ステップバンチングが起きる臨界テラス幅が存在し、成長後のテラス幅は臨界値以上では基板のテラス幅、それ以下ではGa原子の実効的な拡散長で決まる。この機構として、ステップポテンシャルのテラス幅依存性と、Ga原子のポテンシャル内での実効拡散長の考え方を提案する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-11-18

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