Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
スポンサーリンク
概要
著者
-
井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
森 篤史
徳島大学工学部
-
棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
-
山中 陽一郎
大阪府立大学先端科学研究所
-
三箇山 毅
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
-
棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研研所
-
三箇山 毅
大阪府立大先端研
-
井上 直久
大阪府立大先端研
関連論文
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- 半導体超薄膜と量子井戸 (薄膜技術の現状と展開--これからの薄膜) -- (新しい電気・電子,磁気特性の発現を探る)
- フラックス法によるZnS結晶の育成と評価(機能性結晶IV)
- Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
- シリコン中の窒素の構造決定
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
- シリコンの成長における結晶中温度勾配の成長速度依存性 : バルク成長I
- シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
- 24pY-10 CZシリコンの成長界面での熱のバランスと温度勾配
- 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
- CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- サボテンの水耕 : 4. 培地の検討
- サボテンの水耕における生体重の季節的変化
- サボテンの水耕 : 養液濃度がサボテンの生長に及ぼす効果
- サボテンの水耕 : 現場測定による生長の解析
- 培養液のpH並びに濃度が水耕サボテンの生育と地上部無機要素濃度に及ぼす影響
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 5a-E-12 SiドープされたタイプII In_Al_As/AlAs_Sb_単一量子井戸の電流磁気効果
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果
- 光合成をまねた有機太陽電池から分子素子・バイオ素子へのアプローチ
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- 高品質単分子膜におけるナノメートル領域の分子素子特性
- 重力下の剛体球系の結晶化のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- Na_2S_2O_3・5H_2Oの球晶生成過程のシュリーレン法による観察 : その場観察II
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 28aTA-3 シリコン中の窒素の偏析係数の理論的解析
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
- 窒素ドープ Czochralski シリコン結晶の赤外吸収測定
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション : バルク結晶成長IV
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション(結晶成長理論の最近の動向)
- 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
- 17aTF-13 融液成長における成長速度と温度勾配の関係 : 分子動力学シミュレーション
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl_2O_3(0001)基板上へのGaN直接成長
- 23pYP-2 シリコンの固-液界面における熱挙動と格子欠陥
- ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
- 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥について
- チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構
- 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
- 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- MBE-GaAs成長過程のSREMその場観察による解析と制御 : 招待講演II
- 30p-J-4 CZシリコン中の酸素ドナー形成モデル
- 引上げ法シリコン中の酸素の析出機構
- 01aD12 ニワトリ卵白リゾチーム結晶のゲル成長に及ぼす磁場効果(バイオ・有機(2),第36回結晶成長国内会議)
- 洋ランの栽培における水やりの基本検討
- 角度依存X線光電子分光法および原子間力顕微鏡による高濃度リン添加シリコン表面の初期酸化の評価
- 酸化膜/リンドープシリコンの化学エッチングによる深さ方向X線光電子分光法分析
- バルクシリコン結晶における分析・評価技術
- 18aYF-10 構造を持った壁に対する剛体球流動相の界面自由エネルギーのモンテカルロ法による計算と壁の近傍の流動相の構造
- 高品質コロイド結晶成長技術の確立
- InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
- ZnS結晶のフラックス成長 : 溶液成長I
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
- 19aB08 PbBr_2結晶の真空雰囲気下での育成と評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 22aTA-9 Nitroaniline異性体同士の固溶状態についての研究
- KCl単結晶中へのAgCl微粒子の分散 : 微粒子
- Meta-nitroaniline結晶育成に及ぼす異性体の効果 : 気相成長
- 過飽和度一定状態で成長しているNaBrO_3の成長速度と成長温度の関係 : 溶液成長II
- 24pZ-6 融液成長における熱バランス式
- 24aN-7 完全配向剛体棒状分子系結晶の融解過程に観察される中間状態 : モンテカルロシミュレーション
- 剛体球系における結晶成長の分子動力学シミュレーション : 定常成長
- Cu(111)面上のステップに吸着したC_のクラスタ・サイズ分布の一次元格子モデルに基づいた解析 : ステップ II
- 定常成長時における連続体的考察と剛体球系の固液界面と結晶成長の分子動力学シミュレーション : ステップ II
- 卒業研究におけるエンジニアリングデザイン教育明文化の取り組み
- 25pWE-9 シリコン中の窒素空孔複合体の基準振動の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 卒業研究におけるエンジニアリングデザイン教育明文化の取り組み