Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
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概要
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We have improved the measurement accuracy of nitrogen concentration in Czochralski (CZ) silicon crystal by infrared absorption spectroscopy and extended the adaptation for samples. The elimination method of interfering absorption for nitrogen peaks is established. On the other hand, we enable to measure the low resistivity samples that are used widely for manufacturing devices. The measurement accuracy is evaluated by comparing the results with SIMS results and those of FZ samples.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
橋本 理史
大阪府立大学 先端科学研究所
-
松本 智和
大阪府立大学 先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
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