MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響

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概要

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GaAs/AlGaAsヘテロ界面の平坦性に影響を与える二次元核成長、ステップフロー、ステップバンチング等の種々の成長モードを、MOVPE法の成長温度と基板の表面傾斜角を変えて制御した。これらの界面モフォロジーと急峻性の、量子井戸からのフォトルミネッセンス(PL)の半値幅へ与える影響を個々に明らかにした。その結果、半値幅は熱拡散による急峻性劣化、ラフステップ、多段ステップ、二次元島の順に大きく影響を受け、それぞれによる実効的な膜厚変動は>2.0、1.0、0.6、0.2、層となる。界面平坦性の電気的特性への影響として、二重障壁共鳴トンネルダイオード特性に与える影響も検討した。膜厚(障壁厚)の異なる領域の面積およびその比率が、電流一電圧特性に大きく影響することがわかり、領域のサイズを電子のドブロイ波長以下にすることにより、非常に優れた(MOVPE成長の中ではベスト)特性を得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-04-21

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