2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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2μm帯レーザを目的としたInGaAsSb系材料のMBE成長を行い、光学的特性を評価した。またこの材料系を用いた量子井戸レーザを作製し、低温でのレーザ発振を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
天野 政信
大阪府立大学 先端科学研究所
-
大内 一浩
大阪府立大学 先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
大内 一浩
大阪府立大学先端科学研究所
-
河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
-
河村 裕一
大阪府立大先端研
-
天野 政信
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
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