井上 直久 | 大阪府立大学附属先端科学研究所
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概要
関連著者
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府大先端研
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井上 直久
大阪府大
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大先端研
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研研所
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研研所
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原田 英明
大阪府立大学先端科学研究所
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三箇山 毅
大阪府立大学先端科学研究所
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三箇山 毅
大阪府立大先端研
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森 篤史
徳島大学工学部
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
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天野 政信
大阪府立大学 先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学 先端科学研究所
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大久保 一平
大阪府立大学先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学先端科学研究所
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天野 政信
大阪府立大学先端科学研究所
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大久保 一平
大阪府立大先端研
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篠原 正典
NTTマルチメディア推進本部
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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荒木 努
大阪府立大学工学部
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森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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山中 陽一郎
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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纈纈 明伯
東京農工大工学部
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溝川 悠介
大阪府立大学総合科学部
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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溝川 悠介
大阪府立大学総合教育研究機構
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松尾 有里子
東京農工大工学部
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松尾 有里子
東京農工大学工学部
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森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
著作論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
- シリコン中の窒素の構造決定
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
- シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
- 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
- CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析