大内 一浩 | 大阪府立大学先端科学研究所

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概要

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• 河村 裕一

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府大先端研

• 井上 直久

  大阪府大

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著作論文

• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価

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