河村 裕一 | 大阪府立大学先端科学研究所
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概要
関連著者
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府大
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河村 裕一
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井上 直久
大阪府大先端研
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学 先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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大内 一浩
大阪府立大学先端科学研究所
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高崎 英樹
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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天野 政信
大阪府立大学 先端科学研究所
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天野 政信
大阪府立大学先端科学研究所
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卯尾崎 寛
東北大院理
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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成島 正基
阪府大先端研
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山本 明子
大阪府立大学先端科学研究所
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近藤 篤
大阪府立大学先端科学研究所
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藤本 理斗
大阪府立大学先端科学研究所
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片山 貴寛
大阪府立大学先端科学研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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草野 英二
金沢工業大学
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平山 秀樹
理化学研究所
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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荒木 康弘
静大電子研
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遠藤 聡
阪府大先端研
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豊田 直樹
阪府大先端研
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松井 広志
阪府大先端研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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夘尾崎 寛
東北大理
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權田 俊一
福井工業大学宇宙通信工学科
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
-
嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
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白井 満
高エネルギー加速器研究機構
-
西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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豊田 直樹
大阪府立大学先端科学研究所
-
魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
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原田 英明
大阪府立大学先端科学研究所
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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浅野 清光
秋田高専
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
-
阿部 彰雄
学習院大学理学部
-
栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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井上 直久
阪府大先端研
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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高柳 邦夫
東京工業大学
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
-
卯尾崎 寛
阪府大先端研
-
栗栖 裕和
阪府大先端研
-
吉松 清庸
阪府大先端研
-
鎌田 章弘
阪府大先端研
-
河村 裕一
阪府大先端研
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静岡大学
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岩田 弘
香川県工技センタ
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中村 茂昭
高松工専
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相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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權田 俊一
福井工業大学
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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佐藤 英樹
アネルバ株式会社
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
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渡邉 祐樹
埼玉大学
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金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
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安田 幸夫
名古屋大学
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池内 俊之
筑波大学物理工学系
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中村 忠
東海大学工学部電子工学科
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大屋 誠志郎
神奈川県産業技術総合研究所
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品部 慎治
(株)安川電機
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中川 智克
大阪府立大学 先端科学研究所
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松井 広志
大阪府立大学、先端科学研究所
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成島 正基
大阪府立大学、先端科学研究所
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飯島 靖博
大阪府立大学、先端科学研究所
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遠藤 聡
大阪府立大学、先端科学研究所
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夘尾崎 寛
大阪府立大学、先端科学研究所
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山本 恵彦
筑波大学物理工学系
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濱田 晃一
山口大学工学部
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川田 正国
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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柳沢 保徳
奈良教育大学
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森川 良樹
明電舎材料デバイス研究部
-
西口 哲也
明電舎材料デバイス研究部
-
宮本 正春
明電舎材料デバイス研究部
-
野中 秀彦
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
村上 寛
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
佐藤 誠
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
-
田口 信一郎
アネルバ株式会社
-
長谷川 秀雄
防衛大学校電気工学科
-
妻木 伸夫
日立製作所, 機械研究所
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松谷 貴臣
大阪工業技術研究所
-
継枝 孝行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
-
金原 あきら
金沢工業大学AMSRC
-
内藤 裕義
大阪府立大学 先端科学研究所
-
金 龍成
金属材料技術研究所
-
平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
近藤 剛弘
筑波大学物理工学系, 筑波先端学際領域研究(TARA)センター
-
柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
-
平岡 知己
筑波大学物理工学系
-
八木原 美奈
東京理科大学工学部電気工学科
-
荒川 知洋
東海大学工学部電子工学科
-
竹澤 英朗
東海大学工学部電子工学科
-
沢平 嘉浩
金沢工業大学ams R&d Dc
-
池田 浩也
名古屋大学
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大谷 寿幸
東洋紡績(株)総合研究所
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佐々木 仁志
京都大学大学院工学研究科
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稲生 親紀
静大電子研
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長濱 博之
東洋紡績(株)総合研究所
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西浦 正倫
広島国際学院大学ハイテクリサーチセンター
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森居 隆史
松下技研(株)
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松井 慎
金沢工業大学 Ams R&d C
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鈴木 慎一
日立製作所 デバイス開発センタ
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増岡 俊夫
大阪市立大学原子力基礎研究所
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技研
著作論文
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 5a-E-12 SiドープされたタイプII In_Al_As/AlAs_Sb_単一量子井戸の電流磁気効果
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
- 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
- パワー半導体レーザと応用の動向
- サマリー・アブストラクト
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価