本間 芳和 | 東京理科大学
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概要
関連著者
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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井上 直久
大阪府大先端研
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井上 直久
大阪府大
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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本間 芳和
東京理科大学理学部物理学科
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研研所
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本間 芳和
東京理科大
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井上 直久
大阪府立大先端研
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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鈴木 峰晴
NTTアドバンステクノロジ
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小林 慶裕
阪大
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本間 芳和
東京理科大学理学研究科
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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鈴木 峰晴
NTT境界領域研究所
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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中井 泉
東京理科大学 理学部 応用化学科
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村上 浩一
筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"
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田中 啓一
SIIナノテク
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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大野 雄高
名大工
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田中 啓一
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)
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中山 哲
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)
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奥野 恒久
和歌山大シス工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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目良 裕
東大院工
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馬場 由香里
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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小田原 成計
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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永田 篤士
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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名越 正泰
JFEスチール(株)
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山田 明
東工大
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篠原 正典
NTTマルチメディア推進本部
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名越 正泰
Jfeスチール(株)スチール研究所
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名越 正泰
Jfe日本鋼管(株)
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佐藤 馨
JFEスチール(株)スチール研究所
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河野 崇史
JFEスチール(株)スチール研究所
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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相澤 則行
東学大
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上田 修
金沢工大
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小田原 成計
セイコーインスツルメンツ
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中山 哲
セイコーインスツルメンツ
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石橋 幸治
理研
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荒木 努
大阪府立大学工学部
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森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
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中嶋 健
東京工業大学
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森田 清三
阪大院
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重川 秀実
筑波大物質工
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粟野 祐二
慶大
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荒川 太郎
横浜国大
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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大島 忠平
無機材研
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大谷 茂樹
物質材料研究機構
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本間 芳和
東理大理
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高橋 琢二
東大
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佐野 芳明
沖電気
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中嶋 健
東工大
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松本 和彦
阪大
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落合 幸徳
JST
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篠塚 雄三
和歌山大
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徳光 永輔
東工大
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荒川 太郎
横国大
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佐藤 信太郎
富士通研
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赤澤 方省
NTT
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渡辺 精一
北大
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尾崎 信彦
和歌山大
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐藤 馨
Jfeスチール(株)スチール研究所分析・物性研究部
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森田 清三
阪大理
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小田原 成計
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)
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須原 理彦
首都大
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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田中 啓一
(株)エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社研究開発部
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張 朝暉
北京大学
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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渡辺 精一
北大・工学部
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井上 直久
Nttlsi研
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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篠塚 雄三
和歌山大学大学院システム工学研究科
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相沢 則行
東学大
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本間 芳和
NTT電応研
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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高野 明雄
NTTアドバンステクノロジ(株)
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茂木 カデナ
NTTアドバンステクノロジ(株)厚木分析センタ
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相沢 則行
東京学芸大学
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大野 雄高
名大
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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本間 芳和
NTT 基礎総研
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日比野 浩樹
NTT 基礎研
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荻野 俊郎
NTT 基礎研
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McClell R.J.
NTT電応研
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日比野 浩樹
基礎研
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奥野 恒久
和歌山大
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重川 秀実
筑波大
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河野 崇史
JFE日本鋼管(株)
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井上 直久
Ntt Lsi研
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大坂 次郎
NTTLSI研
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村上 浩一
筑波大
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森田 清三
阪大
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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ZHANG Zhaohui
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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伊東 千尋
和歌山大
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大島 忠平
早稲田大学
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小田原 玄樹
早稲田大学応用物理学科
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本間 芳和
境界研
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山田 明
東工大量子セ
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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茂木 カデナ
Nttアドバンステクノロジ(株) 材料分析センタ
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前田 康二
東大、工
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松井 真二
Nec 基礎研
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森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
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佐藤 馨
Jfeスチール
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前田 康二
東大 工
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中井 泉
東京理科大学
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高木 大輔
NTT物性科学基礎研究所
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馬場 由香里
エスアイアイ・ナノテクノロジー
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烏 彰孝
東京理科大学理学部物理学科
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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安江 常夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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小田原 玄樹
早稲田大学先進理工学部応用物理学科
-
菊池 通真
大阪府立大学先端科学研研所
-
小田原 玄樹
早稲田大学
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相沢 則行
東京学芸大
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鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
著作論文
- マイクロカロリーメータシステムとその応用
- 極低加速電圧走査電子顕微鏡法
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- ナノ構造技術
- 走査電子顕微鏡で何が見えているの?
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- カーボンナノチューブの合成を制御する
- SEMによるカーボンナノチューブのCVD成長過程その場観察
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- Si(111)表面の分光電子観察
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 26a-Y-1 Si(100)2×1表面における二次電子放出強度のダイマー方向依存性
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- 非鉄金属・非金属触媒による単層カーボンナノチューブの合成
- 講座 ダイヤモンドをよく知るために(15)ナノをはかる・ナノをつくる(3)CNTでナノをつくる
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- 温故知新
- 3項 単層カーボンナノチューブの成長制御と物性評価への応用(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 二次イオン質量分析法の国際標準化
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- カーボンナノチューブデバイス
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察