非鉄金属・非金属触媒による単層カーボンナノチューブの合成
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- マイクロカロリーメータシステムとその応用
- 極低加速電圧走査電子顕微鏡法
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- ナノ構造技術
- 走査電子顕微鏡で何が見えているの?
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- カーボンナノチューブの合成を制御する
- SEMによるカーボンナノチューブのCVD成長過程その場観察
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- Si(111)表面の分光電子観察
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 26a-Y-1 Si(100)2×1表面における二次電子放出強度のダイマー方向依存性
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- R&D 金・銀・銅を触媒としたカーボンナノチューブの合成
- 非鉄金属・非金属触媒による単層カーボンナノチューブの合成
- 講座 ダイヤモンドをよく知るために(15)ナノをはかる・ナノをつくる(3)CNTでナノをつくる
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- 薄膜・表面物理分科会
- 温故知新
- 3項 単層カーボンナノチューブの成長制御と物性評価への応用(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 二次イオン質量分析法の国際標準化
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- カーボンナノチューブデバイス
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察