超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-01
著者
-
日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
-
本間 芳和
東京理科大学
-
本間 芳和
Ntt物性基礎研
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
-
FINNIE Paul
NTT物性基礎研
-
萩野 俊郎
NTT物性基礎研
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
関連論文
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- マイクロカロリーメータシステムとその応用
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 極低加速電圧走査電子顕微鏡法
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- '97分析機器展見聞記
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- ナノ構造技術
- 走査電子顕微鏡で何が見えているの?
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- カーボンナノチューブの合成を制御する
- SEMによるカーボンナノチューブのCVD成長過程その場観察
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- Si(111)表面の分光電子観察
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 26a-Y-1 Si(100)2×1表面における二次電子放出強度のダイマー方向依存性
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- LEEDとRHEED
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 講座 ダイヤモンドをよく知るために(15)ナノをはかる・ナノをつくる(5)LEEMでナノをはかる
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 走査電子顕微鏡で観る結晶成長表面の原子の振る舞い
- 22pTP-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
- 22pTD-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
- 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
- 24pW-4 Si(111)巨大平坦面におけるステップフロー
- GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる結晶成長と原子ステップダイナミクスの観察
- 走査型電子顕微鏡による表面原子層のその場観察
- 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる表面現象のその場観察
- (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
- Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
- 半導体ナノ構造・量子デバイス
- 非鉄金属・非金属触媒による単層カーボンナノチューブの合成
- 講座 ダイヤモンドをよく知るために(15)ナノをはかる・ナノをつくる(3)CNTでナノをつくる
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- 温故知新
- 3項 単層カーボンナノチューブの成長制御と物性評価への応用(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 二次イオン質量分析法の国際標準化
- 28p-WB-3 Si(111)表面でのSi、Pb原子の置換現象のSTM観察
- 14a-DH-13 Si(111)表面でのGe固相成長過程のSTM観察
- 29p-H-6 微傾斜Si(111)表面でのステップ三重化転移の高温STM観察
- サマリー・アブストラクト
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- カーボンナノチューブデバイス
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察