日比野 浩樹 | Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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影島 博之
NTT物性基礎研
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本間 芳和
東京理科大学
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
根室市立病院外科
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阿久津 典子
大阪電通大工
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山本 隆夫
群馬大工
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山本 隆夫
群馬大学工学部共通講座
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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岡村 典子
お茶の水大・理
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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阿久津 典子
大阪電通大大学院総合電子工学専攻
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山本 隆夫
群馬大院・工
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阿久津 典子
大阪電通大
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山本 隆夫
群馬大
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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田中 悟
九大院工
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関根 佳明
NTT-BRL
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森田 康平
九大院工
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村木 康二
NTT物性基礎研
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西岡 孝
Ntt基礎研
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住友 弘二
NTT基礎研
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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篠田 幸信
NTT基礎研
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清水 延男
NTT基礎研
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阿久津 典子
学習院大学理学部
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阿久 津典子
大阪電気通信大学工学部
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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永瀬 雅夫
徳島大工
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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水野 清義
九大院総理工
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三木 一司
電総研
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三木 一司
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
電総研
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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小林 慶裕
阪大
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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本間 芳和
NTT電応研
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福田 常男
NTT通研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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小栗 克弥
Ntt物性基礎研
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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福谷 克之
東大生研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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舘野 功太
NTT物性科学基礎研究所
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関根 佳明
NTT物性研
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山本 隆夫
群馬大院工
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松本 益明
東大生研
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岡野 達雄
東大生研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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チェンダ スレイ
九大院工
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萩原 好人
九大院工
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林 賢二郎
九大院総理工
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川村 隆明
山梨大教育
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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福谷 克之
東大生産技術研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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相澤 則行
東学大
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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鎌田 大
東工大極低温セ:ntt物性基礎研
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鎌田 大
NTT物性基礎研
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小林 慶裕
NTT基礎研
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小栗 克弥
NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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相沢 則行
東学大
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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鈴木 峰晴
NTT境界領域研究所
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相沢 則行
東京学芸大学
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鈴木 峰晴
NTT通研
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日比野 浩樹
NTT研究所
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鈴木 峰晴
NTT研究所
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本間 芳和
NTT研究所
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福田 常男
NTT研究所
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日比野 浩樹
NTT通研
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本間 芳和
NTT通研
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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HU Changwu
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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TSONG Ignatius
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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本間 芳和
NTT 基礎総研
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日比野 浩樹
NTT 基礎研
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荻野 俊郎
NTT 基礎研
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杉井 清昌
NTT基礎研
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McClell R.J.
NTT電応研
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日比野 浩樹
基礎研
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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藤澤 利正
東工大院理工
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日比野 裕樹
NTT基礎研
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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Hu Changwu
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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Tsong Ignatius
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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森田 康平
九州大学大学院工学研究院
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橋坂 昌幸
東工大院理工
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
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永瀬 雅夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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高木 大輔
NTT物性科学基礎研究所
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大
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相沢 則行
東京学芸大
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熊田 倫雄
NTT物性科学基礎研究所
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橋坂 昌幸
東工大院理
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藤澤 利正
東工大院理
著作論文
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- LEEDとRHEED
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 講座 ダイヤモンドをよく知るために(15)ナノをはかる・ナノをつくる(5)LEEMでナノをはかる
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 28p-WB-3 Si(111)表面でのSi、Pb原子の置換現象のSTM観察
- 14a-DH-13 Si(111)表面でのGe固相成長過程のSTM観察
- 29p-H-6 微傾斜Si(111)表面でのステップ三重化転移の高温STM観察
- グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
- SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))