田邉 真一 | NTT物性科学基礎研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
田邉 真一
Ntt物性基礎研
-
田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
-
村木 康二
NTT物性基礎研
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
-
高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
-
村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンのSiCの熱分解による生成と電気伝導特性