田邉 真一 | Ntt物性基礎研
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概要
関連著者
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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鎌田 大
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大院理工
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橋坂 昌幸
東工大院理工
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熊田 倫雄
NTT物性科学基礎研究所
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橋坂 昌幸
東工大院理
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藤澤 利正
東工大院理
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影島 博之
NTT物性基礎研
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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鎌田 大
東工大極低温セ:ntt物性基礎研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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鎌田 大
Ntt物性基礎研:東工大院理工
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高瀬 恵子
NTT物性科学基礎研究
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研究
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田邊 真一
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンのSiCの熱分解による生成と電気伝導特性