26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 田邉 真一

  Ntt物性基礎研

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

• 田邊 真一

  NTT物性科学基礎研究所

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