28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 関根 恵

  東北大院理

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 澤田 安樹

  京大低温セ

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 澤田 安樹

  東北大院理

• 鈴木 三千郎

  東北大院理

• 鈴木 三千郎

  東北大理

• 江澤 潤一

  東北大院理

• 岩田 一樹

  東北大院理

• 森野 正行

  東北大院理

• 佐久 規

  NTT-AT

• 岩田 一樹

  京大院理

• 澤田 安樹

  京大低物セ

• 沢田 安樹

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• 沢田 安樹

  東北大理物理

• 岩田 一樹

  東北福祉大

• 沢田 安樹

  東北大 理

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