澤田 安樹 | 京大低温セ

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• 福田 昭

  兵庫医大

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  NTT物性基礎研

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  東北大理物理

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  NTT物性基礎研

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  東北大院理

• 鈴木 三千郎

  東北大理

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  京大院理

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• 津田 是文

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  京大理物理

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• 今井 憲一

  京大理

• 戸崎 充男

  京大RIセンター

• 寺嶋 孝仁

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• 大沢 大輔

  放医研

• 城戸 義明

  立命館大理工

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• 五十棲 泰人

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• 松木 征史

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  京大院医

• 上野 智弘

  宇都宮大学工学部

• 城戸 義明

  立命館大学理工学部物理科学科

• 戸崎 充男

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• 西村 智朗

  立命館大理工

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  立命館大・総理工

• 熊田 倫堆

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• 水崎 隆雄

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  立命館大 理工

• 加藤 隆久

  京都大学放射性同位元素総合センター 放射線安全管理室

• 江藤 潤一

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• 澤田 安樹

  京都大学 低温物質科学研究センター

• 山中 修司

  Dep. of phys., Kyushu University

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 戸崎 充男

  京都大学放射性同位元素総合センター

• 寺澤 大樹

  兵庫医大

• 森川 智喜

  京大院理

• Minh-Hai Nguyen

  京大院理

• 津田 大樹

  京大院理

• 三谷 昌平

  京大院理

• 城戸 義明

  立命館大学理工学部

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著作論文

• 22pHX-13 液面電子系における閉じ込めポテンシャルがエッジマグネトプラズモン振動モードに及ぼす影響(22pHX 若手・渦・低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20aGS-1 化学的手法によるグラフェンナノリボン試料作成と評価(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
• 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-8 2層系ν=1量子ホール状態の面内磁場依存性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pYG-6 2層系v=2量子ホール系の基底状態(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 31pZP-8 2層ν=2 量子ホール状態における励起スペクトル
• 28aYA-2 MRI顕微鏡の開発と非線形効果による影響(3He,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aXA-7 二層系ν=4/3量子ホール状態におけるヒステリシスの観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aYA-8 ヘリウム液面電子閉じ込めポテンシャルとエッジマグネトプラズモン共鳴線幅の関係(4He・液面電子,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28pYJ-8 ヘリウム液面電子のエッジマグネトプラズモン共鳴測定 : 電子密度分布の効果(28pYJ 超流動^4He・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19pRD-8 ヘリウム液面電子系におけるエッジマグネトプラズモンの電子密度依存性(超流動固体・固体4He・2次元電子・超臨界,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25aWR-6 2層ν=2/3量子ホール系の基底状態と励起エネルギーの観察(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 2層系v=1量子ホール効果における擬スピン・ソリトン
• 2層系γ=1量子ホール効果におけるソリトン格子相
• 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-9 マイクロ波空胴共振器摂動法による量子ホール効果の測定
• 25pZC-7 2層量子ホール系における相転移とコヒーレンス(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-7 二重量子井戸におけるν=2/3量子ホール状態の核スピン緩和(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-7 2層ν=2/3量子ホール状態における核スピン偏極の拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pHC-4 ヘリウム液面電子の圧縮性とエッジ励起スペクトル(22pHC 若手奨励賞受賞記念講演/液面電子・量子渦,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 24pTR-3 2層系ν=1量子ホール状態における発現温度の異常(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCJ-1 二層系v=1量子ホール状態における核スピン緩和時間の電子密度差依存性(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-3 量子ホール状態v=2/3における核スピン偏極による抵抗減少効果(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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