25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 福田 昭

  兵庫医大

• 澤田 安樹

  京大低温セ

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 澤田 安樹

  東北大院理

• 鈴木 三千郎

  東北大院理

• 鈴木 三千郎

  東北大理

• 江澤 潤一

  東北大院理

• 森野 正行

  東北大院理

• 岩田 一樹

  京大院理

• 福田 昭

  京大低物セ

• 澤田 安樹

  京大低物セ

• 沢田 安樹

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• 沢田 安樹

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• 岩田 一樹

  東北福祉大

• 沢田 安樹

  東北大 理

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