沢田 安樹 | 東北大理物理

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著作論文

• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
• 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 4p-X-4 Pr_3Tlの核比熱の測定
• 31aZP-9 マイクロ波空胴共振器摂動法による量子ホール効果の測定

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