18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 新井 敏一

  京大低温セ

• 西中川 良平

  京大院理

• 福田 昭

  兵庫医大

• 澤田 安樹

  京大低温セ

• 平山 祥郎

  東北大院理

• 澤田 安樹

  東北大院理

• 江澤 潤一

  東北大院理

• 関川 貴史

  京大院理

• 岩田 一樹

  京大院理

• 福田 昭

  京大低物セ

• 澤田 安樹

  京大低物セ

• 沢田 安樹

  東北大・理

• 沢田 安樹

  東北大理物理

• 岩田 一樹

  東北福祉大

• 新井 敏一

  京大低物セ

• 沢田 安樹

  東北大 理

関連論文

• 20pHV-12 2層系v=1量子ホール系におけるスピン・擬スピン反転を含んだSU(4)skyrmionの観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-11 不均一なゼーマン磁場中におけるスカーミオンによる核スピン緩和(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHV-11 熱的偏極核スピンによる抵抗検出NMRスペクトルの測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-1 Kerr顕微鏡によるv=1量子ホール状態の局所占有数と電流分布(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pHX-13 液面電子系における閉じ込めポテンシャルがエッジマグネトプラズモン振動モードに及ぼす影響(22pHX 若手・渦・低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20aGS-1 化学的手法によるグラフェンナノリボン試料作成と評価(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30p-G-5 高導電性ポリアセチレンの極低温下電気伝導
• 27pTX-7 2層系v=1量子ホール状態におけるナイトシフト測定(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 固体ナノ構造中における核スピン量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
• NMRによる量子ホール傾角反強磁性状態におけるゴールドストーンモードの観測
• 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-2 ナイトシフトによる2層量子ホール系の電子スピン偏極率測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 原子状重水素の磁気共鳴(再結合速度の測定)
• 31p-M-6 2次元偏極原子状水素の冷却
• 4p-M-6 2次元偏極電子状水素の実験
• 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-11 ν=2/3スピン相転移点シフトによる核スピン状態の検出と緩和測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aXA-4 量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン伝導の磁場依存性(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-3 電圧制御可能なエッジマグネトプラズモン共振器(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-7 二層系ν=4/3量子ホール状態におけるヒステリシスの観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aYA-8 ヘリウム液面電子閉じ込めポテンシャルとエッジマグネトプラズモン共鳴線幅の関係(4He・液面電子,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28pYJ-8 ヘリウム液面電子のエッジマグネトプラズモン共鳴測定 : 電子密度分布の効果(28pYJ 超流動^4He・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19pRD-8 ヘリウム液面電子系におけるエッジマグネトプラズモンの電子密度依存性(超流動固体・固体4He・2次元電子・超臨界,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28pXF-1 偏極原子状水素と2次元電子共存系におけるエッジマグネトプラズモンの観測(28pXF 2次元電子・超流動^3He,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 24pXL-2 ヘリウム液面上の擬1次元電子系における電気伝導度の温度依存性(液面電子・低温技術・量子固体,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
• 24pXL-1 強磁場中の2次元水素原子による液面電子付着反応の温度依存性(液面電子・低温技術・量子固体,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
• 29PYD-10 ヘリウム液面上の単一チャンネル型擬1次元電子系の電気伝導(Restricted Geometry)(領域6)
• 29PYD-9 磁場中におけるヘリウム液面上2次元原子状水素-電子混合系の化学反応(Restricted Geometry)(領域6)
• 30pZC-10 スピン偏極したヘリウム液面上電子-水素原子 2 次元混合系の安定性
• ヘリウム液面上で起こる原子状水素と電子の非弾性過程
• 18pTA-3 ヘリウム液面上での水素原子による電子の捕捉
• センター紹介 回収ヘリウムガス監視システム
• センター紹介 京大吉田地区の液体ヘリウム供給情報管理システム
• 28a-H-3 ^3He-^4He mixture film 上に吸着された偏極原子状水素の冷却
• 3a-Y-11 原子状水素のヘリウム蒸気中における拡散IV
• 24aXA-8 抵抗検出NMRによるν=1/3でのスピン反転励起の観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-2 核スピン測定による二層量子ホール系の電子スピン状態の解明(若手奨励貧,量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pHG-10 2重エッジマグネトプラズモン共振器における共鳴スペクトルの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-9 エッジマグネトプラズモン伝播測定によるゲート電極近傍のエッジチャネル構造解析(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-6 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-6 量子ホール2次元電子系における熱平衡状態の核スピン偏極率の充填率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-6 電圧パルス印加ゲート電極によるエッジマグネトプラズモン励起の局所占有率依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-12 サニャック干渉計による量子ホール電子系のスピン偏極計測(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-8 量子ホールエッジチャネル間におけるクーロンドラッグの時間分解測定(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-3 量子ホール電子系における希釈冷凍機温度でのKerr回転イメージング(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-6 サニャック干渉計を用いた量子ホール電子系の高感度スピン偏極イメージング(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-4 環状エッジチャネルにおけるエッジマグネトプラズモンの共鳴現象(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 8aSA-8 2層系における整数量子ホール効果と分数量子ホール効果の比較(分数量子ホール効果(理論,2層系),領域4)
• 26pDK-2 グラフェンにおけるプラズモン伝搬のシミュレーション(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDD-2 人工的朝永-ラッティンジャー液体における電荷分断化現象(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク