25pCJ-6 電圧パルス印加ゲート電極によるエッジマグネトプラズモン励起の局所占有率依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 橋坂 昌幸

  東工大極低温セ:東工大院物性物理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大院理工

• 橋坂 昌幸

  東工大院理工

• 鎌田 大

  東工大院理工

• 熊田 倫雄

  NTT物性科学基礎研究所

• 橋坂 昌幸

  東工大院理

• 藤澤 利正

  東工大院理

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