25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 遊佐 剛

  東北大理

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 太田 剛

  SORST-JST

• 遊佐 剛

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  SORST-JST

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 遊佐 剛

  東北大学理学研究科

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