宮下 宣 | NTT-AT
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
宮下 宣
NTT-AT
-
宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
-
平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
-
平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
平山 祥郎
東北大理
-
田村 浩之
NTT物性基礎研
-
赤崎 達志
NTT物性基礎研
-
丸山 達朗
NTT-AT
-
山口 真澄
NTT物性基礎研
-
野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
-
熊田 倫雄
NTT物性基礎研
-
藤澤 利正
NTT物性基礎研
-
遊佐 剛
東北大理
-
藤澤 利正
東工大極低温セ
-
野村 晋太郎
筑波大院数物
-
樽茶 清悟
東大理
-
都倉 康弘
Ntt基礎研
-
遊佐 剛
東北大学理学研究科
-
藤沢 利正
Ntt 基礎研
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
-
山口 浩司
三菱重工業(株)
-
高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
-
鈴木 恭一
東北大・科研
-
鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
-
村木 康二
NTT基礎研
-
鈴木 恭一
NTT物性基礎研
-
新田 英嗣
東大理
-
佐々木 智
NTT物性基礎研
-
村木 康二
NTT物性基礎研
-
高柳 英明
NTT物性基礎研
-
佐々木 智
Nit物性基礎研
-
太田 剛
NTT物性基礎研
-
大野 圭司
東大理
-
大野 圭司
Icorp-jst:理研
-
佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
-
佐々木 智子
NTT基礎研
-
野村 晋太郎
NTT物性基礎研
-
佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
-
平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
-
岡本 創
Ntt物性基礎研
-
寳迫 巌
情報通信研究機構
-
早川 純一朗
東北大理
-
遊佐 剛
NTT物性基礎研
-
平山 祥郎
SORST-JST
-
寳迫 巌
NICT
-
安田 浩朗
独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
安田 浩朗
情報通信研究機構
-
パトラシン ミハイル
情報通信研究機構
-
川村 昂
東北大理
-
小野満 恒二
NTT物性基礎研
-
宮下 宣
NTT基礎研
-
平山 祥郎
東北大理:jst-erato
-
渡辺 信嗣
東北大理
-
五十嵐 玄
東北大理
-
都倉 康弘
NTT物性基礎研
-
平山 祥郎
東北大院理
-
丸田 裕己
東大工
-
石原 直
東大工
-
山本 倫久
東大工:erato-jst
-
高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
-
Stopa M.
ERATO SORST
-
太田 剛
SORST-JST
-
太田 剛
科技構SORST
-
遊佐 剛
科技構SORST
-
平山 祥郎
科技構SORST
-
橋本 克之
NTT物性基礎研
-
佐久 規
NTT-AT
-
佐久 規
NTT物性基礎研
-
山本 喜久
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
山本 喜久
東北大学電気通信研究所
-
浅山 徹哉
東大理
-
山本 倫久
東大理
-
渡辺 信嗣
Jst-erato
-
北川 広野
Crest-jst:東理大理
-
渡邊 信嗣
CREST-JST
-
高柳 英明
CREST-JST
-
姜 承求
筑波大物質創成
-
浅山 徹哉
ソニー
-
小林 嵩
東北大理
-
Rossander Lea
東北大理
-
桑野 信
東北大理
-
野村 晋太郎
筑波大物質創成
-
鎌田 雄仁
東北大院
-
丸山 達朗
NTP-AT
-
宮下 宣
NTP-AT
-
宮越 賢治
CREST-JST
-
小野 絢哉
CREST-JST
-
Stopa M.
Erato
-
橋本 克之
ハンブルグ大:東北大理:jst-erato
-
小林 嵩
Ntt物性基礎研:東北大理
-
高品 圭
バース大物理
-
山本 喜久
Ntt物性科学基礎研究所
-
山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学
-
山本 喜久
スタンフォード大:nii
-
山本 喜久
スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト
-
山本 喜久
E.l. Ginzton Laboratory Stanford University
-
Nuttinck S.
NTT物性基礎研
-
姜 承求
Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成
-
宮越 賢治
東京理科大:crest-jst
-
山本 倫久
東大物工:erato-jst
-
小野 絢哉
Crest-jst:筑波大物質創成
-
山本 喜久
国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所
-
渡辺 信嗣
金沢大理工
著作論文
- 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs基板上GaSb/AlSb量子カスケードレーザ構造の特性評価(光・電波ワークショップ)
- 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs基板上GaSb/AlSb量子カスケードレーザ構造の特性評価(光・電波ワークショップ)
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
- 23pL-5 ポイントコンタクトの0.7(2e^2/h)構造
- 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
- 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関