村木 康二 | NTT基礎研
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概要
関連著者
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村木 康二
NTT基礎研
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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宮下 宣
NTT-AT
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佐久 規
NTT-AT
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樽茶 清悟
東大理
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佐久 規
NTT基礎研究所
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新田 英嗣
東大理
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村木 康二
NTT物性基礎研
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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Austing David
NTT基礎研
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Austing David
Nrc
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Austing D.
Nrc
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澤田 安樹
東北大院理
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大野 圭司
東大理
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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佐々木 智
NTT基礎研
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澤田 安樹
京大低物セ
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沢田 安樹
東北大・理
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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高垣 雪彦
NTT基礎研
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宮下 宣
NTT基礎研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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山本 倫久
東大理
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David G.Austing
NTT基礎研
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本多 隆
NTT基礎研究所
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Austing D.g
Ntt基礎研究所
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斎藤 建
Ntt基礎研究所
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
著作論文
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
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- 27p-YN-3 p型変調ドープ単一ヘテロ構造の磁気フォトルミネッセンス
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
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- 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
- 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
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- 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
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- 8a-N-13 バックゲート誘起二次元電子ガスの強磁場中での伝導特性
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- 28p-R-1 二次元電子、三次元正孔間の磁場中での相互作用
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