澤田 安樹 | 京大低物セ

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概要

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• 江澤 潤一

  東北大学大学院 理学研究科

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 堀越 佳治

  早大理工

• 岸本 修也

  東北大通研

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 津田 是文

  京大理物理

• 福田 昭

  兵庫医大物理

• 寺澤 大樹

  兵庫医大物理

• 佐々木 健一

  物材機構

• 澤田 安樹

  東北大 理

• 鈴木 勝彦

  宮城工業高等専門学校

• 福田 昭

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• 佐々木 健一

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• 中島 龍也

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• 熊田 倫堆

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• 佐々木 健一

  東北大理,CREST,JST

• 熊田 倫雄

  東北大通

• 江藤 潤一

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• 寺澤 大樹

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• Sawada Anju

  Department of Physics,Tohoku University

• MURAKI Koji

  NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

• HIRAYAMA Yoshiro

  NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

• 福田 昭

  京大低温物質科学セ

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  京大低温物質科学セ

• 鄭 仰東

  京大低温セ

• 森川 智喜

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• 江澤 潤

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• Krasovitsky V.

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• SAKU Tadashi

  NTT Basic Research Laboratories

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  Department Of Physics

• 鈴木 勝彦

  宮城工業高専

• 遊佐 穂高

  宮城工業高専

• Tedrow P.M.

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• KUMADA Norio

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• AZUHATA Hirofumi

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• Ezawa Zyun

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• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• Kumada Norio

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• Kumada Norio

  Department Of Physics Graduate School Of Science Tohoku University

• Nagahama Satoshi

  Department Of Physics Tohoku University

• Azuhata Hirofumi

  Department Of Physics Tohoku University

• 澤田 安樹

  東北大理、東北大通研

• 江澤 潤一

  東北大理、東北大通研

• 大野 英男

  東北大理、東北大通研

• 鄭 仰東

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• 寺澤 大樹

  兵庫医大

• 森川 智喜

  京大院理

• Minh-Hai Nguyen

  京大院理

• 鈴木 勝彦/佐々木洋

  宮城工高専

• 澤田 安樹

  東北大学大学院理学研究科

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著作論文

• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
• 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
• 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-8 2層系ν=1量子ホール状態の面内磁場依存性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
• 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
• 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
• 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• 23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
• 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-9 マイクロ波空胴共振器摂動法による量子ホール効果の測定
• 26aYQ-12 CrO_2膜の磁気抵抗の電流依存性
• 23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
• 24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
• Doubly Enhanced Skyrmions in v=2 Bilayer Quantum Hall States : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
• 24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
• 24pTR-7 2層ν=2/3量子ホール状態における核スピン偏極の拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-3 2層系ν=1量子ホール状態における発現温度の異常(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2層量子ホール系における層間コヒーレント現象
• 30p-ZF-8 2層系量子ホール効果:スピン自由度の役割
• 26pDD-9 直流電流による量子ホール状態ν=2/3の状態変化(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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