松倉 文礼 | 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大通研
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大通研
-
大野 英男
東北大 電通研
-
千葉 大地
科学技術振興機構erato
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
大野 裕三
東北大通研
-
福村 知昭
東北大金研:科技機構さきがけ
-
長谷川 哲也
東工大応セラ研
-
千葉 大地
東北大通研
-
篁 耕司
東北大通研
-
長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科
-
野尻 浩之
東北大金研
-
本河 光博
東北大金研
-
鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
-
鯉沼 秀臣
Tokyo Institute Of Technology
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
澤田 安樹
東北大院理
-
澤田 安樹
東北大理
-
長坂 啓吾
東理大理
-
江澤 潤一
東北大院理
-
福村 知昭
東工大総理工
-
庄野 知至
東工大応セラ研
-
長坂 敬吾
東理大理
-
山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
-
澤田 安樹
京大低物セ
-
沢田 安樹
東北大・理
-
永井 康之
東理大理
-
江澤 潤一
東北大理
-
浦山 敦史
東北大理
-
熊田 倫雄
東北大理
-
山ノ内 路彦
東北大通研
-
堀越 佳治
早大理工
-
岸本 修也
東北大通研
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
松倉 文★
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能実験施設
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
菅 滋正
阪大基礎工
-
高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
-
今田 真
阪大基礎工
-
室隆 桂之
SPring-8 JASRI
-
長谷川 哲也
東大理
-
福村 知昭
東北大金研
-
上田 茂典
阪大基礎工
-
本河 光博
東北大金研強磁場セ
-
本河 光博
神戸大理
-
本河 光博
東北大金研 & Crest-jst
-
斎藤 祐児
Spring-8
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
-
稲葉 和久
東工大応セラ研
-
大野 英男
科技団
-
長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
早川 純
日立製作所基礎研究所
-
早川 純
日立製作所 基礎研究所
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
長谷川 哲也
東大
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
科学技術振興機構ERATO
-
大野 英男
科学技術振興機構ERATO
-
千葉 大地
科技機構ERATO
-
大野 裕三
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
大野 英雄
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
大野 祐三
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
秋葉 教充
東北大学電気通信研究所
-
大宮 忠志
東北大学電気通信研究所
-
早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
-
稲葉 和久
Kast:東工大
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
著作論文
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 25pRP-3 強磁性半導体における磁気輸送現象とその制御(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- MnドープIII-V化合物半導体の物性
- 半導体スピンエレクトロニクス
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造