強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
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概要
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The magnetic, magnetotransport, and magneto-optical properties of ferromagnetic semiconductors based on III-V's are reviewed and the possible origin of carrier-induced ferromagnetism based on p-d exchange is discussed. The unique properties of quantum heterostructures such as resonant tunneling diodes based on (Ga, Mn) As are also presented.
- 1999-03-01
著者
-
大野 英男
東北大通研
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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