(Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-09-13
著者
-
大野 英男
東北大通研
-
家 泰弘
東大物性研
-
高木 英典
東大物性研
-
遠藤 彰
東大物性研
-
勝本 信吾
東大物性研
-
松倉 文礼
東北大通研
-
大岩 顕
東大物性研
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
平澤 正勝
Crest
-
松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
Shen A.
東北大通研
-
平澤 正勝
東大物性研
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
関連論文
- 21pHV-5 1次元周期変調下の2次元電子系における高周波伝導率の測定(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28p-PS-40 LSCO単結晶の抵抗率における磁場の角度依存性
- 3a-F-4 グラファイトの強磁場誘起電子相転移と非線型伝導
- 29a-X-1 グラファイトの強磁場誘起電子相転移とc軸伝導
- 29a-G-3 中性子照射したグラファイトの強磁場誘起電子相転移
- 31p-N-5 パルス強磁場・^2He温度域におけるグラファイトの電子相転移III
- 25p-ZG-2 パルス強磁場・^3He温度域におけるグラファイトの電子相転移 II
- 30a-ZC-3 パルス強磁場・^3He温度域におけるグラファイトの電子相転移
- 物理学会役員の選出制度について
- 20aYF-12 量子ホール系における拡散熱電能の測定(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31p-TA-7 酸化物高温超伝導体の超伝導転移領域における輸送現象
- 27p-ZJ-5 重い電子系CeInCu_2の磁気抵抗効果
- 30p-WC-9 Tl系酸化物超伝導体の単結晶育成と物性
- 21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pHV-6 熱電効果で見る1次元平面超格子の整合性磁気抵抗振動(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30a-A-6 酸化物高温超伝導体の異方性と圧力効果
- 25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28a-YB-7 YBa_2Cu_3O_7におけるCuO_2面内電荷閉じ込め
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
- 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
- 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
- クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
- 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
- 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
- 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
- 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- III-V族希薄磁性半導体の電気伝導 : バルクと超構造
- タイプ2 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光
- 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)