大野 英男 | 東北大通研
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概要
関連著者
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大野 英男
東北大通研
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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大野 裕三
東北大通研
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松倉 文礼
東北大通研
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大 電通研
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澤田 安樹
東北大院理
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澤田 安樹
東北大理
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江澤 潤一
東北大理
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浦山 敦史
東北大理
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岸本 修也
東北大通研
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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堀越 佳治
早大理工
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千葉 大地
科学技術振興機構erato
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大岩 顕
東大物性研
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家 泰弘
東大物性研
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勝本 信吾
東大物性研
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安元 理就
東北大理
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遠藤 彰
東大物性研
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篁 耕司
東北大通研
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熊田 倫雄
東北大理
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野尻 浩之
東北大金研
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天羽 真一
ICORP-JST
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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寺岡 総一郎
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大工
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本河 光博
東北大金研
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杉江 修
東北大理
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福村 知昭
東北大金研:科技機構さきがけ
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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長坂 啓吾
東理大理
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江澤 潤一
東北大院理
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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澤田 安樹
京大低物セ
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沢田 安樹
東北大・理
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永井 康之
東理大理
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松倉 文〓
東北大通研
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沈 愛東
東北大通研
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大野 裕三
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科
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久保 敏弘
ICORP-JST
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都倉 康弘
ICORP-JST
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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千葉 大地
東北大通研
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庄野 知至
東工大応セラ研
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長坂 敬吾
東理大理
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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好田 誠
東北大通研
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平澤 正勝
Crest
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Shen A.
東北大通研
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菅原 靖宏
東北大通研
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平澤 正勝
東大物性研
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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樽茶 清悟
東大物理工
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鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
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林 岳
東大物性研
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佐々木 健一
物材機構
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高木 英典
東大物性研
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鯉沼 秀臣
Tokyo Institute Of Technology
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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佐々木 健一
東北大理
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福村 知昭
東工大総理工
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宗片 比呂夫
東大大工
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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佐々木 健一
東北大理,CREST,JST
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山ノ内 路彦
東北大通研
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大野 英男
東北大学
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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三浦 登
東大物性研
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菅 滋正
阪大基礎工
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松田 康弘
東大物性研
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今田 真
阪大基礎工
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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寺岡 総一郎
Quantum Information Project, ICORP-JST
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天羽 真一
Quantum Information Project, ICORP-JST
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羽田野 剛司
Quantum Information Project, ICORP-JST
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久保 敏弘
Quantum Information Project, ICORP-JST
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長谷川 哲也
東大理
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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福村 知昭
東北大金研
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上田 茂典
阪大基礎工
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腰原 伸也
神奈川科学技術アカデミー:東工大理工
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市村 雅彦
日立基礎研
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本河 光博
東北大金研強磁場セ
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本河 光博
神戸大理
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本河 光博
東北大金研 & Crest-jst
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斎藤 祐児
Spring-8
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大友 明
東工大院工:東北大金研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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北沢 宏一
東大院工
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遠藤 剛
東大院工
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腰原 伸也
東工大理
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遠藤 剛
名工大
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橋本 義昭
東大物性研
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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稲葉 和久
東工大応セラ研
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大野 英男
科技団
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福村 知昭
東工大応セラ研
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長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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三浦 登
東京大学物性研究所
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北 智洋
科学技術振興機構ERATO
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山ノ内 路彦
東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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勝本 伸吾
東大物性研
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宗片 比呂夫
東工大画像情報施設
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熊田 倫雄
東北大通
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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早川 純
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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有本 英生
東大物性研
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長谷川 哲也
東大
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大通研新技術事業団
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近藤 裕佑
東北大通研
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小野 真証
東北大通研
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眞田 治樹
東北大通研
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松坂 俊一郎
東北大通研
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森田 健
科学技術振興機構
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松倉 文礼
科学技術振興機構ERATO
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大野 英男
科学技術振興機構ERATO
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千葉 大地
科技機構ERATO
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安達 太郎
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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SALIS G.
Department of Physics, University of California
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AWSCHALOM D.
Department of Physics, University of California
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山ノ内 路彦
科学技術振興機構ERATO
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松倉 文[ヒロ]
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大通研
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大野 英男
東北大学・通研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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森田 健
科学技術振興機構:東北大通研
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小山 圭一
東北大・金研
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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眞田 治樹
NTT物性基礎研
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岸本 修也
東北大 通研
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大野 裕三
東北大 通研
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松倉 文〓
東北大 通研
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大野 英男
東北大 通研
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家泰 弘
東大物性研
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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小山 圭一
東北大金研
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秋葉 教充
東北大学電気通信研究所
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大宮 忠志
東北大学電気通信研究所
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Salis G.
Department Of Physics University Of California
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Awschalom D.
Department Of Physics University Of California
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
-
稲葉 和久
Kast:東工大
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
松坂 俊一郎
東北大通研:科学技術振興機構
-
澤田 安樹
東北大理、東北大通研
-
江澤 潤一
東北大理、東北大通研
-
大野 英男
東北大理、東北大通研
-
平家 誠嗣
日立中研
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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大野 裕三
東北大通研:CREST-JST
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久保 敏弘
学習院大理
著作論文
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
- 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
- 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
- クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
- 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
- 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
- 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
- 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- III-V族希薄磁性半導体の電気伝導 : バルクと超構造
- タイプ2 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光
- 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)