大野 英男 | 東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設の論文著者

関連著者

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大野 英男

  東北大 電通研

• 大野 裕三

  東北大通研

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 松倉 文礼

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 千葉 大地

  科学技術振興機構erato

• 大野 英男

  東北大学

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 久保 敏弘

  Icorp

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 寺岡 総一郎

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大工

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 山ノ内 路彦

  (株)日立製作所基礎研究所

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 遠藤 哲郎

  東北大学 学際科学国際高等研究センター

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 三浦 貞彦

  日本電気株式会社

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 野尻 浩之

  東北大金研

• 久保 敏弘

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  ICORP-JST

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 本河 光博

  東北大金研

• 福村 知昭

  東北大金研:科技機構さきがけ

• 長谷川 哲也

  東工大応セラ研

• 長坂 啓吾

  東理大理

• 千葉 大地

  東北大通研

• 篁 耕司

  東北大通研

• 長坂 敬吾

  東理大理

• 永井 康之

  東理大理

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 大野 裕三

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 長谷川 哲也

  東京大学大学院理学系研究科

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 鯉沼 秀臣

  東工大応セラ研

• 鯉沼 秀臣

  Tokyo Institute Of Technology

• 鯉沼 秀臣

  東京大学工学部工業化学科

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 崎村 昇

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  日本電気株式会社

• 根橋 竜介

  日本電気株式会社

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 福村 知昭

  東工大総理工

• 庄野 知至

  東工大応セラ研

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 羽生 貴弘

  東北大学

• 山ノ内 路彦

  東北大通研

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 辻 幸秀

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  東北大学

• 笠井 直記

  東北大学

• 羽生 貴弘

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究科

• 小池 洋紀

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大澤 隆

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 笠井 直記

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 池田 正二

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 羽生 貴弘

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社

• 菅 滋正

  阪大基礎工

• 今田 真

  阪大基礎工

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 寺岡 総一郎

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 天羽 真一

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 羽田野 剛司

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 久保 敏弘

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 長谷川 哲也

  東大理

• 鈴木 哲広

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 福村 知昭

  東北大金研

• 上田 茂典

  阪大基礎工

• 小池 洋紀

  福岡県産業科学技術振興財団

• 本河 光博

  東北大金研強磁場セ

• 本河 光博

  神戸大理

• 本河 光博

  東北大金研 & Crest-jst

• 斎藤 祐児

  Spring-8

• 大友 明

  東工大院工:東北大金研

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 斎藤 信作

  Nec

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 稲葉 和久

  東工大応セラ研

• 鈴木 大輔

  東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  科技団

• 長谷川 哲也

  東京大学大学院理学系研究科化学専攻

• 早川 純

  日立製作所基礎研究所

• 北 智洋

  科学技術振興機構ERATO

• 山ノ内 路彦

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文〓

  東北大通研

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所

• 早川 純

  日立製作所 基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 長谷川 哲也

  東大

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 近藤 裕佑

  東北大通研

• 小野 真証

  東北大通研

• 眞田 治樹

  東北大通研

• 松坂 俊一郎

  東北大通研

• 森田 健

  科学技術振興機構

• 松倉 文礼

  科学技術振興機構ERATO

• 大野 英男

  科学技術振興機構ERATO

• 千葉 大地

  科技機構ERATO

• 安達 太郎

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• SALIS G.

  Department of Physics, University of California

• AWSCHALOM D.

  Department of Physics, University of California

• 山ノ内 路彦

  科学技術振興機構ERATO

• 松倉 文[ヒロ]

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学・通研

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 森田 健

  科学技術振興機構:東北大通研

• 眞田 治樹

  NTT物性基礎研

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• Salis G.

  Department Of Physics University Of California

• Awschalom D.

  Department Of Physics University Of California

• 稲葉 和久

  Kast:東工大

• 松坂 俊一郎

  東北大通研:科学技術振興機構

• 木下 啓蔵

  東北大学

• 齊藤 信作

  日本電気株式会社

• 辻 幸秀

  NECグリーンイノベーション研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 松永 翔雲

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科

• 鈴木 哲広

  ルネサスエレクトロニクス

• 深見 俊輔

  NECA:東北大

• 木下 啓藏

  東北大学

• 森岡 あゆ香

  日本電気株式会社

• 遠藤 哲郎

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 木下 啓蔵

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 池田 正二

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 久保 敏弘

  学習院大理

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著作論文

• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
• 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
• 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
• (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
• 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
• 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
• 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
• 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
• 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
• 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピントロニクスの材料戦略
• 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
• スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
• 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
• 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
• 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
• 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
• 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
• 酸化亜鉛電界効果デバイス
• 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
• 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
• 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
• III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
• 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
• 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
• 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
• 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
• クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
• 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
• 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
• 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
• 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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