2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
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概要
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近年,電子機器の消費電力の増大から,不揮発性で高速動作可能なワーキングメモリが渇望されている.本稿では,磁気トンネル接合素子(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)を用いたスピントルク注入(STT:Spin-Torque Transfer)方式に基づく磁気メモリの技術動向を論ずる.まず,高密度性に優れる1MTJ+1Tr型,及び高速性に優れる2MTJ+4Tr型の各STT磁気メモリについて述べ,続いてCMOSと不揮発性を融合させた論理回路の基本メモリとなるMTJ不揮発性ラッチ回路について述べる.最後に,電子機器の高速動作/低消費電力化に対する磁気メモリ技術のインパクトを論ずる.
- 2012-11-01
著者
-
羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
-
笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
笠井 直記
日本電気(株)
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究科
-
小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
笠井 直記
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
大野 英男
東北大学
-
遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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