半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz、1Mb-MRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

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概要

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0.15μm、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作を実証した。本メモリマクロは、半ピッチシフト配置されたビット線分離型の2T1MTJセル(6.97μm^2)によりメモリアレイが形成されている。この方式はビット線の寄生容量を削減でき、対称性の良いセンス動作が可能になることから動作周波数をSRAMと同程度にまで高速化が可能となった。このMRAMマクロは混載SRAMインターフェースと互換であり、将来のSoCへ適用できる見通しを得た。
2008-04-10

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