ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
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概要
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TaおよびTaNとを積層した拡散バリアを用いたCu/poly-Si積層ゲート構造のMOSFETを試作評価した。ゲート線幅0.3um以上で、層抵抗0.2Ω/□を達成した。ゲート線幅0.25umにおいては, 0.5Ω/□を達成した。TaおよびTaNとの積層バリア膜構造で7.5nmのゲート酸化膜において500℃まで熱処理に対して水素アニール後信頼性を確保することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
岸本 光司
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
松木 武雄
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
伊藤 信和
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
-
吉田 和由
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)
-
大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
山崎 進也
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部
-
新村 俊樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)
-
笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
松木 武雄
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
伊藤 信和
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
藤井 邦宏
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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吉田 和由
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
大音 光市
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
山崎 進也
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
新村 俊樹
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
笠井 直記
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
笠井 直記
日本電気(株)
-
大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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吉田 和由
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)
-
伊藤 信和
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
-
新村 俊樹
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)
-
藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
-
山崎 進也
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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