MOCVD-TiNバリヤ膜を用いたCu溝配線

概要

論文の詳細を見る
LSIの集積密度の向上に伴って配線サイズがますます微細化されており、開発レベルでは2000年を待たずに0.7μmピッチの微細配線が必要となると予想される。現在最も一般的なRIEで形成された微細配線は、いくつかの課題に直面すると考えられる。RIE加工では配線の高アスペクト化が難しいため、微細化に伴い配線断面積が減少する。これは、配線抵抗の上昇をもたらし配線遅延が増加する。また、配線断面積の減少は電流密度の増加にもつながり、EMによる信頼性が低下する。これらを解決する方法として、絶縁膜上に形成した溝内に低比抵抗の金属膜を埋め込み、エッチバックやCMP法より絶縁膜上の金属膜を除去することによる配線を形成する方法が提案されている。溝内への金属埋め込みには、核形成促進あるいはバリヤ膜を目的とした下地膜が重要である。われわれは、埋め込み金属としてCVD-Cu膜、その下地バリヤメタルとして、有機原料を用いMOCVD-TiN膜を採用し、良好な溝配線を形成したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05