新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5)(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS(Di-iso-Buthyl DiMethyl Silane)を用いたSiC膜を28nmノード以降のデバイス対応に開発した。この技術を用い、3.5未満の低誘電率化と低透水性の性能が得られた。さらに、各種分析により、低誘電率化と低透水性の両立が実現できるメカニズムを提案する。
- 2011-01-31
著者
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
-
宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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三浦 幸男
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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宇佐美 達矢
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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小林 千香子
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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永野 修次
大陽日酸株式会社
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大音 光市
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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清水 秀治
大陽日酸株式会社
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加田 武史
株式会社トリケミカル研究所
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大平 達也
株式会社トリケミカル研究所
-
藤井 邦宏
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社
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