藤井 邦宏 | Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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概要
関連著者
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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岸本 光司
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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松木 武雄
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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吉田 和由
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)
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山崎 進也
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部
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新村 俊樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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吉田 和由
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)
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伊藤 信和
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
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新村 俊樹
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)
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山崎 進也
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
電気通信大学
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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角原 由美
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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松木 武雄
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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伊藤 信和
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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藤井 邦宏
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
吉田 和由
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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大音 光市
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
山崎 進也
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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新村 俊樹
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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笠井 直記
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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黒川 哲也
NECエレクトロニクス(株)
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NEC Electronics Corporation
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隣 真一
Nec Ulsiデバイス開研
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吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤井 邦宏
NEC ULSIデバイス開発研究所
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菊田 邦子
NEC ULSIデバイス開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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川原 尚由
NECエレクトロニクス(株)
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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竹脇 利至
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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鈴木 三恵子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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豊嶋 宏徳
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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土屋 楽章
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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黒川 哲也
Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部
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隣 真一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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菊田 邦子
Nec Ulsi デバイス開発研究所
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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井口 学
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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相澤 宏一
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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川原 尚由
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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渡部 忠兆
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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三浦 幸男
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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宇佐美 達矢
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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小林 千香子
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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永野 修次
大陽日酸株式会社
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大音 光市
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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清水 秀治
大陽日酸株式会社
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加田 武史
株式会社トリケミカル研究所
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大平 達也
株式会社トリケミカル研究所
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藤井 邦宏
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社
著作論文
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- 高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k