松木 武雄 | NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

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概要

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関連著者

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 岸本 光司

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 吉田 和由

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部

• 新村 俊樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 吉田 和由

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 山崎 進也

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部

• 松木 武雄

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 内田 尚志

  北海道工大

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 上沢 兼一

  日本電気

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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