上沢 兼一 | 日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NEC Corporation

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 國尾 武光

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  Nec

• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 内田 尚志

  北海道工大

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 上沢 兼一

  NEC

• 最上 徹

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 國尾 武光

  Nec マイクロエレクトロニクス研

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 上沢 兼一

  日本電気

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
• p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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