p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
BF_2^+またはB^+注入によりドーピングしたp^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性を評価した。ゲート酸化膜信頼性はボロン突き抜けの増大と酸化膜の薄膜化と共に劣化し、この劣化はゲート酸化の初期段階で形成された不完全な酸化膜層における電荷捕獲の増大によることがわかった。更に、ボロン突き抜けによるしきい値電圧の変動と酸化膜信頼性の低下、そしてPMOSFETの電流駆動力に直接影響を与えるゲートポリシリコンの空乏化の観点からゲート酸化膜の薄膜化限界を検討し、0.1μmp^+ゲートPMOSFETを想定した極薄ゲート絶縁膜として膜厚4nmの酸化膜が十分に使用可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
-
國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
國尾 武光
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
上沢 兼一
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
関連論文
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
- 低電圧MOSFETの設計指針
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
- 3次元IC (半導体デバイス)
- ギガビット時代のDRAM技術
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)