▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
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概要
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(抄録なし)
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-28
著者
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渡嘉敷 健
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
Nec
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渡嘉敷 健
Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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浜田 昌幸
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
巌 庄一
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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巌 庄ー
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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