極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば用いられる。ドーパント注入の際のチャネリングを防ぐことと、イオン注入によって生ずる点欠陥の再結合をアモルファス化層の固相エピにより促進し、点欠陥が関与する増速拡散を抑えることがその目的である。Siの代替材料としてGe及びそのプロセス技術を研究する場合にもプレアモルファス化の有用性評価が必要であると考え、先ずイオン注入によるGeのアモルファス化条件を調べた。アモルファス化臨界ドーズやアモルファス化層の厚さと注入イオンの質量数との関係等から、Geのアモルファス化に特徴的なメカニズムについて議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-28
著者
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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