サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
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概要
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MOSFET縮小のための課題は多くあるが浅い接合の形成はその中でも基本的且つ重要なものである。本論ではn-MOSFETの微細化のためのn^+-p接合形関しての述べる。サブ0.1μm 級のn-MOSFETのため接合形成法としては最も一般的なAsのイオン注入法とPSGからの固相拡散による方法があげられる。またAsよりも質量が大きく, 拡散係数が小さいことから浅い接合形成に有利と考えられるSbの注入も試みられている。しかし固相拡散の例を除いて接合深さやシート抵抗値が系統的に評価, 比較されておらず今後の浅い接合形成法の進むべき道が明確にされているとは言い難い。本研究ではSb及びAsの注入によるという浅い接合形成, 評価と両者比較を行い, 更に接合深さやシート抵抗のMOSFETに与える影響を調べた。また, 今後さらに浅接合化を進める上でシート抵抗の増大が問題になることを見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
広瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
廣瀬 全孝
広島大学工学部
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
三富士 道彦
広島大学工学部
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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