中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
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概要
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イオン注入時の重金属汚染対策を施し、低エネルギー(10keV),低温(-130℃)砒素イオン注入を行うことによって低リーク電流(面成分が6.3x10^-11>A, cm^2、周辺成分が3.8x10^-12>A/cm)の極浅(〜24nm)n^+/p接合を形成した。イオン注入装置に付属した中エネルギーイオン散乱(MEIS)測定システムを開発し、その高感度特性を利用して、砒素の分布状態を調べた。非破壊,その場観察によって表面損傷、浅い接合中の砒素のドーズ量および深さ方向分布が評価できることが示された。また、Heプローブイオンによって、Si基板中に注入された砒素が格子間位置とシャドウコーン領域内位置を可逆的に変位する現象が見出された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-23
著者
-
廣瀬 全孝
広島大学工学部
-
横山 新
広島大学集積化システム研究センター
-
渡辺 健
徳島大学工学部
-
Zbigniew J.
ノースカロライナ州立大学
-
渡辺 健
広島大学工学部
-
石橋 健作
広島大学工学部
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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