Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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本研究では,Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAの伝導特性,及び,n^-Si基板をゲート電極とした3端子トランジスタ特性について調べる.その結果,DNA両端を固定した電極をもつ試料のみで伝導を確認した.この伝導は電極間に固定化されたDNA本体を流れるキャリアが担っていると考えられるが,バンド伝導であるかホッピング伝導であるかは不明である.又,トランジスタ特性に関しては,ゲート電圧の負方向への増加に従い,電流値が増加する事からホール伝導である事が確認され,又,電流飽和が観測された事から,5極管特性の傾向が見られた.ホールの起源は,n^-Si電極からの少数キャリヤであるホール注入と考えられる.DNAトランジスタに関して,ゲート電圧による電流値制御が可能であることが初めて明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
部家 彰
石川県工試
-
山名 一成
兵庫県立大学大学院工学研究科物質系工学専攻
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
高城 祥吾
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
高田 忠雄
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
坂本 憲児
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
山名 一成
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
坂本 憲児
広島大学
-
高城 祥吾
兵庫県大
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学部
-
高田 忠雄
兵庫県立大学物質工学専攻
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
-
部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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