原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール(AHA)処理」を行うことで,絶縁膜の表面改質を行い,その上に形成されるペンタセン膜の膜質を変化させるとともに,有機薄膜トランジスタの特性を向上させることを試みた.AHA処理によりゲート絶縁膜(SiO_2)表面の還元反応が起こり,SiO_2の表面エネルギーが42dyne/cmから39dyne/cmに変化した.また,AHA処理によりペンタセン膜の結晶粒径は増加しなかったが,I_<on/off>が1桁向上し,閾値電圧も65Vから16Vに減少した.これは原子状水素によりSiO_2膜/Si基板界面付近の負電荷が除去されたためであると考えられる.
- 2008-04-04
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
佐藤 真彦
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
長谷川 裕師
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
-
部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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