次世代素子、Si 共鳴トンネルMOS トランジスタの提案及び理論検討
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概要
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The characteristics of the Si resonant tunneling metal-oxide-semiconductor transistor (SRTMOST), which was proposed to realize a low-power and high-speed characteristics, were reviewed. From the discussion related to the suppression of the DT from the source to the drain under the gate-off condition, the excellent switching operation, the optimum off-set energy between the dielectric films at the both channel edges and Si and the feasibility of the three-valued logic circuit, it is shown that the SRTMOST would become the potential candidate of the substitution for the conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in the next generation.
- 山口大学工学部の論文
著者
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大 工
-
木原 洋幸
山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室
-
松尾 直人
山口大
-
山本 暁徳
山口大学工学部電気電子工学科
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