エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
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概要
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我々はSiO_2 substrate(SiO_2(100nm)/glass),SiN substrate(SiO_2(50nm)/SiN(50nm)/glass)及び石英基板上のエキシマ・レーザによる再結晶化多結晶シリコン(poly-Si)について応力緩和の観点から調べた。poly-Siの内部応力が基板に依存することについて光学的手法を用いることで始めて明らかにした。内部応力を緩和するために、石英基板上のpoly-Siではディスク状結晶が形成され、一方、SiO_2基板上のpoly-Siでは二次元結晶成長が起きている。これらの現象をSi TOフォノンのラマンピークシフトおよび半値全幅のレーザエネルギ密度ならびにショット数との関係から議論する。水素を考慮した固相成長モデルについても推論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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