浜田 弘喜 | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 浜田 弘喜

  三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所

• 浜田 弘喜

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 浜田 弘喜

  三洋電機(株)デジタルシステム研究所

• 松尾 直人

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 河本 直哉

  山口大学工学部電気電子工学科

• 河本 直哉

  山口大学大学院理工学研究科

• 河本 直哉

  山口大 工

• 松尾 直人

  山口大

• 河本 直哉

  山口大学工学部

• 松尾 直人

  兵庫県大

• 松尾 直人

  山口大学工学部

• 長谷川 勲

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 長谷川 勲

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• 山野 耕治

  三洋電機(株)ニューマテリアル研究所

• ファクルル アンワル

  山口大学工学部

• アンワル ファクルル

  山口大学工学部

• AZIZ Fakhrul

  山口大学工学部

• Anwar F

  山口大学工学部

• 山野 耕治

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)

• 納田 朋幸

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 納田 朋幸

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 納田 朋幸

  三洋電機

• 柴田 賢一

  三洋電機株式会社・機能材料研究所

• 阿部 寿

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 阿部 寿

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 田口 亮平

  山口大学工学部

• 田口 亮平

  山口大学工学部電気電子工学科

• 松尾 直人

  兵庫県立大学

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学

• 増田 淳

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 増田 淳

  北陸先端大

• 余頃 祐介

  北陸先端科学技術大学院大学

• 余頃 祐介

  北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科

• 増田 淳

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 原田 泰典

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 綾 洋一郎

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 宮井 良雄

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 松尾 直人

  山口大 工

• 松尾 直人

  姫路工業大学大学院 姫路市

• 宮井 良雄

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 原田 泰典

  姫路工業大学大学院工学研究科

• 松屋 直人

  山口大学工学部

• 松尾 直人

  兵庫県立大学工学研究科

• 原田 泰典

  兵庫県立大学大学院

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著作論文

• ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
• 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係

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