浜田 弘喜 | 三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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概要
関連著者
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県大
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松尾 直人
山口大学工学部
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河本 直哉
山口大学工学部
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松尾 直人
山口大
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納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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河本 直哉
山口大 工
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阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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田口 亮平
山口大学工学部
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田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
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ファクルル アンワル
山口大学工学部
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アンワル ファクルル
山口大学工学部
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AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
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Anwar F
山口大学工学部
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山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)
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宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
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宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
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三浦 隆司
山口大学工学部電気電子工学科
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松尾 直人
兵庫県立大学
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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増田 淳
北陸先端大
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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中田 真一
山口大学工学部電気電子工学科
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原田 泰典
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
山口大 工
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松尾 直人
姫路工業大学大学院 姫路市
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松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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木村 睦
龍谷大理工
-
木村 睦
セイコーエプソン(株)基盤技術研究所
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原田 泰典
姫路工業大学大学院工学研究科
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松屋 直人
山口大学工学部
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木村 睦
セイコーエプソン 基盤技研
-
山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
-
野崎 崇裕
山口大学工学部電気電子工学科
-
高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
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鄭 然植
慶大理工
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永島 大
慶大理工
-
桑野 博
慶大理工
-
原田 泰典
兵庫県立大学大学院
-
山内 純也
山口大
著作論文
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Siのキャラクタリゼーション
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算 : 相互コンダクタンスとサブスレッショルド係数
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
- ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- C-11-1 Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)の検討 : 論理回路への応用
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転移論に基づいて
- エキシマ・レーザー・アニールにより形成した低温多結晶Siのキャラクタリゼイション
- AM-LCD'02国際ワークショップ報告
- 赤色半導体レーザの研究開発経緯と今後の発展
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- 電気的ストレスによるnおよびpチャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
- 固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価
- SC-8-2 Poly-Si TFT技術の現状と今後の展開